Home HARDWARESamsung navodno redizajnira svoj 1c DRAM proces kako bi poboljšao stope prinosa

Samsung navodno redizajnira svoj 1c DRAM proces kako bi poboljšao stope prinosa

od Ivan Radojevic
Samsung navodno redizajnira svoj 1c DRAM proces kako bi poboljšao stope prinosa

Samsung navodno planira da redizajnira svoju šestu generaciju 1c DRAM-a kako bi poboljšao stope prinosa i stekao prednost u odnosu na svoj nadolazeći HBM4 proces.

Korejski gigant sada razmatra preuređenje svog 1c DRAM procesa, za koji se kaže da je ključni faktor uspeha njegovog HBM4 procesa. Prema izveštaju ZDNet Korea, Samsung od druge polovine 2024. godine procenjuje dizajn svojih najnaprednijih DRAM procesa i sada je redizajnirao svoj vrhunski 1c DRAM kako bi osigurao da njegovi budući HBM procesi budu prihvaćeni u industriji, za razliku od HBM3 derivata koji su naišli na velike prepreke pri integraciji od strane kompanija poput NVIDIA-e.

Izveštaj navodi da Samsung-ov najnapredniji DRAM proces nije postigao ciljane stope prinosa, koje se kreću između 60% i 70%, zbog čega korejska kompanija nije mogla da pređe u fazu masovne proizvodnje. Smatra se da glavni problem leži u veličini 1c DRAM čipa. Samsung se u početku fokusirao na smanjenje veličine kako bi povećao proizvodni obim, ali je to značilo da kompanija ugrožava stabilnost procesa, što je rezultiralo nižim stopama prinosa.

 

Samsung navodno redizajnira svoj 1c DRAM proces kako bi poboljšao stope prinosa 1

„Samsung Electronics je promenio dizajn svog 1c DRAM-a kako bi povećao veličinu čipa i sada se fokusira na poboljšanje prinosa, ciljajući sredinu ove godine. Čini se da su usmereni na stabilnu masovnu proizvodnju memorije sledeće generacije, čak i ako to podrazumeva veće troškove“ – ZDNet Korea.

Samsung-ov 1c DRAM proces igra ključnu ulogu u razvoju njegovih HBM4 proizvoda. Pošto su konkurenti poput SK Hynix-a i Micron-a već usavršili svoje dizajne, korejski gigant nema mnogo vremena. S obzirom na to da Samsung nema baš najbolju reputaciju u industriji, posebno nakon neuspeha sa HBM3 procesom, postaje ključno da osigura da 1c DRAM proces ispuni industrijske standarde.

Za sada postoji neizvesnost u vezi s tim kako će se Samsung-ov šesti DRAM proces razvijati, ali se tvrdi da bismo u narednim mesecima mogli videti napredak, što bi potencijalno moglo staviti Samsungov HBM4 proces na put ka masovnoj proizvodnji, koja se očekuje do kraja godine.

Banner

Banner

Možda će vam se svideti i