Samsungov QLC 9. generacije V-NAND će ponuditi povećanu kapacitet i performanse, dok će ostati energetski efikasan za AI radne zadatke.
Samsung primenjuje različite tehnologije za masovnu proizvodnju 9. generacije Quad Level Cell V-NAND-a za AI aplikacije.
Pre nekoliko meseci, Samsung je započeo masovnu proizvodnju svog prvog TLC (Triple Level Cell) 9. gen V-NAND-a, koji nudi povećanje gustine bitova od 50%. Danas je najavio masovnu proizvodnju QLC 9. gen V-NAND-a, koji pruža visokop performanse i energetski efikasno funkcionisanje za AI aplikacije. QLC V-NAND se proizvodi kombinovanjem različitih tehnologija, što omogućava postizanje trenutno najvećeg broja slojeva.
QLC ili Quad Level Cell V-NAND uvodi tehnologije kao što su Channel Hole Etching, Designed Mold i Predictive Program kako bi osigurao da memorija dostigne visoku gustinu u kompaktnom formatu, uz bolju pouzdanost pri čitanju i pisanju.
Takođe je izjavio da je misija Samsunga da učvrsti svoje liderstvo u segmentu skladištenja, s obzirom na to da tržište SSD-ova za preduzeća brzo raste i da potražnja za boljim hardverom za pokretanje AI aplikacija raste. Kako bi osigurao da kompanija ostane ispred konkurencije, QLC 9. gen V-NAND će prvo biti dostupan u brendiranim potrošačkim proizvodima, a zatim će se proširiti na UFS, PC-ove i SSD-ove za servere.
- Samsungova tehnologija Channel Hole Etching korišćena je za postizanje najvišeg broja slojeva u industriji uz pomoć dvostruke strukture.
- QLC V-NAND se može pohvaliti sa 86% većom gustinom u odnosu na prethodnu generaciju QLC V-NAND-a.
- Usvajanje dizajniranih kalupa poboljšalo je performanse zadržavanja podataka za otprilike 20% u odnosu na prethodne verzije, što je dovelo do poboljšane pouzdanosti proizvoda.
- Samsung-ov QLC 9. generacije V-NAND-a je udvostručio brzinu pisanja i poboljšao brzinu unosa/izlaza podataka za 60% zahvaljujući napredovanjima u ovoj tehnologiji.
- Potrošnja energije za čitanje i pisanje podataka smanjena je za oko 30% i 50%, respektivno, upotrebom tehnologije niske potrošnje energije.
Kroz etching kanala, kompanija može da stvara vertikalne kanale koji omogućavaju prenosenje podataka u složenim V-NAND ćelijama. Ovom tehnologijom, Samsung može da ponudi veći broj slojeva u poređenju sa prethodnim NAND memorijama. Takođe, sa dvostrukom strukturom slojeva, memorijski slojevi će biti raspoređeni u dva odvojena staka unutar čipa, čime se obezbeđuje manja proizvodnja toplote dok se gustina povećava za 86%.
Sledeća tehnologija je Dizajnirani Kalup, koja će prilagoditi razmake između Word Linija i obezbediti uniformnost ćelija kroz slojeve. Ovo će pomoći QLC V-NAND-u da postigne dosledne i pouzdane performanse, nudeći skoro 20% poboljšanje u zadržavanju podataka. Druga korišćena tehnologija je Prediktivni Program, koji će optimizovati način na koji se podaci upisuju u NAND ćelije. Ovo će sprečiti nepotrebne promene predviđanjem stanja ćelija tokom operacije pisanja, rezultirajući otprilike 60% boljim performansama za čitanje i pisanje podataka.
Samsung je na putu da zadovolji zahteve AI tržišta nudeći energetski efikasne i visokoperformantne NAND-ove, ali takođe širi svoju ponudu za mobilne i računarske uređaje.15
